ON Semiconductor H22A1

底架

通孔

安装类型

Through Hole, Flange

包装/外壳

Slotted, PC Pins

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Current-Collector (Ic) (Max)

3mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~100°C

包装

Tube

已出版

1997

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

类型

Unamplified

最高工作温度

100°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

30V

输出电压

30V

工作电源电压

1.7V

通道数量

1

输出配置

Phototransistor

功率耗散

150mW

正向电流

60mA

回应时间

8μs, 50μs

上升时间

8μs

正向电压

1.7V

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

3mA

感应距离

0.118 (3mm)

电压 - 集射极击穿（最大值）

30V

反向击穿电压

6V

感测方法

Through-Beam

最大直流驱动电流（If）

60mA

输入电流

1mA

反向电压(直流电)

6V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅