ON Semiconductor HGT1S2N120CNDS

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

HGT1S2N120CNDS

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Harris Semiconductor

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.58

容差

0.5 %

温度系数

25 ppm/°C

附加功能

低导通损耗

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

最大额定电压（直流）

100 V

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

集电极电流-最大值(IC)

2 A

集电极-发射器电压-最大值

1200 V