ON Semiconductor HGT1S2N120CNS
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HGT1S2N120CNS
1807-HGT1S2N120CNS
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HGT1S2N120CNS详情
ON Semiconductor HGT1S2N120CNS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
有
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
32 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
585 ns
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
HGT1S2N120CNS
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Intersil Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERSIL CORP
Rise Time-Max (tr)
15 ns
Risk Rank
5.01
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
最大耗散功率(Abs)
104 W
集电极电流-最大值(IC)
13 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
最大下降时间 (tf)
320 ns
HGT1S2N120CNS拓展信息







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