ON Semiconductor HGT1S7N60B3DS9A

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

150 V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

46 ns

Operating Temperature-Min

-55 °C

Turn-off Time-Nom (toff)

350 ns

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

HGT1S7N60B3DS9A

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Turn-off Time-Max (toff)

470 ns

Risk Rank

5.62

容差

0.5 %

温度系数

100 ppm/°C

电阻

352 kΩ

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

额定功率

250 mW

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大耗散功率(Abs)

60 W

集电极电流-最大值(IC)

14 A

集电极-发射器电压-最大值

600 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

VCEsat-最大值

2.1 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6 V

最大下降时间 (tf)

175 ns

高度

650 µm