ON Semiconductor HGT4E20N60A4DS

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

28 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

160 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

HGT4E20N60A4DS

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Rise Time-Max (tr)

18 ns

Risk Rank

5.92

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

绝缘栅BIP晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-268AA

最大耗散功率(Abs)

290 W

集电极电流-最大值(IC)

70 A

集电极-发射器电压-最大值

600 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

7 V

最大下降时间 (tf)

73 ns