ON Semiconductor HGTG10N120BN
- 收藏
- 对比
HGTG10N120BN
1807-HGTG10N120BN
无类别的
--
大陆
立即发货

Transistor: IGBT, 1.2kV, 17A, 298W, TO247-3
1最小包装量--
HGTG10N120BN详情
ON Semiconductor HGTG10N120BN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
有
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
21 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
190 ns
Manufacturer Part Number
HGTG10N120BN
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Harris Semiconductor
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
HARRIS SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.6
附加功能
低导通损耗
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-247
集电极电流-最大值(IC)
35 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
达到SVHC
unknown
HGTG10N120BN拓展信息







哦! 它是空的。