ON Semiconductor HGTP20N36G3VL

安装类型

表面贴装

包装/外壳

120-LQFP

表面安装

NO

供应商器件包装

120-LQFP (16x16)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tray

Base Product Number

MB90020

厂商

Infineon Technologies

Data Converters

-

Product Status

Obsolete

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

HGTP20N36G3VL

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.92

Part Package Code

TO-220AB

操作温度

-

系列

-

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

绝缘栅BIP晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

振荡器类型

-

速度

-

内存大小

-

电压 - 供电 (Vcc/Vdd)

-

核心处理器

-

箱体转运

COLLECTOR

周边设备

-

程序存储器类型

-

芯尺寸

-

程序内存大小

-

连接方式

-

晶体管应用

汽车点火装置

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

EEPROM 大小

-

最大耗散功率(Abs)

150 W

集电极电流-最大值(IC)

37.7 A

集电极-发射器电压-最大值

355 V

栅极-发射极电压-最大值

10 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

2.3 V