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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.458664
10
¥7.979878
100
¥7.528183
500
¥7.102058
1000
¥6.700053
ON Semiconductor HP4410DYT
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- 对比
HP4410DYT
1807-HP4410DYT
集成电路(IC)
--
大陆
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MOSFET 30V 10a 0.0135Ohm Logic Level N-Ch
--最小包装量--
¥
总价: ¥
HP4410DYT详情
ON Semiconductor HP4410DYT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
HP4410DYT
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Part Package Code
SOT
Package Description
SO-8
Risk Rank
5.21
Drain Current-Max (ID)
10 A
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
70 ns
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
电阻
13.5 mΩ
端子表面处理
TIN
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.5 W
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
9 ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
10 A
栅极至源极电压(Vgs)
16 V
漏极-源极导通最大电阻
0.0135 Ω
漏源击穿电压
30 V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
13.5 mΩ
HP4410DYT拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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