ON Semiconductor HP4936DY
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HP4936DY
1807-HP4936DY
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HP4936 - Power Field-Effect Transistor, 5.8A, 30V, 0.037ohm, 2-Element, N-Channel, MOSFET
1最小包装量--
HP4936DY详情
ON Semiconductor HP4936DY重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SO-8
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
HP4936DY
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.21
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
5.8 A
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
COMMERCIAL
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.037 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
HP4936DY拓展信息







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