ON Semiconductor HUF75309D3ST_NL

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

HUF75309D3ST_NL

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.13

Drain Current-Max (ID)

19 A

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

19 A

漏极-源极导通最大电阻

0.07 Ω

DS 击穿电压-最小值

55 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

55 W