ON Semiconductor HUF75332G3

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

有

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

HUF75332G3

Turn-on Time-Max (ton)

100 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Intersil Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

INTERSIL CORP

Turn-off Time-Max (toff)

55 ns

Risk Rank

8.07

Drain Current-Max (ID)

52 A

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247

最大漏极电流 (Abs) (ID)

52 A

漏极-源极导通最大电阻

0.019 Ω

DS 击穿电压-最小值

55 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

110 W

环境耗散-最大值

110 W