ON Semiconductor HUF75542S3ST
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HUF75542S3ST
1807-HUF75542S3ST
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HUF75542S3ST详情
ON Semiconductor HUF75542S3ST重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
HUF75542S3ST
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.16
Drain Current-Max (ID)
75 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
75 A
漏极-源极导通最大电阻
0.014 Ω
DS 击穿电压-最小值
80 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
230 W
HUF75542S3ST拓展信息







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