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ON Semiconductor HUF75652G3_NL

Name: HUF75652G3_NL
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-HUF75652G3_NL
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

HUF75652G3_NL

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-HUF75652G3_NL

商品类别

无类别的

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

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HUF75652G3_NL ON Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

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HUF75652G3_NL详情

技术参数

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ON Semiconductor HUF75652G3_NL重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Style

FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels

未说明
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Rohs Code

有
Manufacturer Part Number

HUF75652G3_NL
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Rochester Electronics LLC
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank

5.21
Drain Current-Max (ID)

75 A
无铅代码

有
端子表面处理

未说明
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

COMMERCIAL
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-247
漏极-源极导通最大电阻

0.008 Ω
DS 击穿电压-最小值

100 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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HUF75652G3_NL拓展信息

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