注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.448152
10
¥10.800144
100
¥10.188812
500
¥9.61209
1000
¥9.068009
ON Semiconductor HUF75823D3S
- 收藏
- 对比
HUF75823D3S
1807-HUF75823D3S
无类别的
--
大陆
立即发货

14A, 150V, 0.150 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
HUF75823D3S详情
ON Semiconductor HUF75823D3S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Free Hanging (In-Line), Right Angle
表面安装
YES
越来越多的功能
-
外壳材料
铝合金
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
600VAC, 850VDC
Package
Bulk
Primary Material
Metal
Base Product Number
KPT08
厂商
ITT Cannon, LLC
Product Status
活跃
Contact Finish Mating
Gold
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
HUF75823D3S
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.19
Drain Current-Max (ID)
14 A
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
KPT
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
终端
焊杯
连接器类型
Plug, Female Sockets
定位的数量
23
端子表面处理
锡铅
颜色
橄榄色
紧固类型
卡口锁
额定电流
7.5A, 13A
端子位置
SINGLE
方向
N (Normal)
终端形式
鸥翼
屏蔽/屏蔽
-
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
入口保护
抗环境干扰
Reach合规守则
unknown
外壳完成
橄榄色镉
外壳尺寸-插入
16-23
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
外壳尺寸,MIL
-
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
漏极-源极导通最大电阻
0.15 Ω
DS 击穿电压-最小值
150 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
Strain Relief
触点表面处理厚度 - 配套
50.0µin (1.27µm)
HUF75823D3S拓展信息






哦! 它是空的。