HUF75823D3S
HUF75823D3S

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ON Semiconductor HUF75823D3S

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型号

HUF75823D3S

utmel 编号

1807-HUF75823D3S

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

14A, 150V, 0.150 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET

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HUF75823D3S
HUF75823D3S ON Semiconductor 14A, 150V, 0.150 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET

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HUF75823D3S详情

ON Semiconductor HUF75823D3S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    Free Hanging (In-Line), Right Angle

  • 表面安装

    YES

  • 越来越多的功能

    -

  • 外壳材料

    铝合金

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Voltage, Rating

    600VAC, 850VDC

  • Package

    Bulk

  • Primary Material

    Metal

  • Base Product Number

    KPT08

  • 厂商

    ITT Cannon, LLC

  • Product Status

    活跃

  • Contact Finish Mating

    Gold

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    HUF75823D3S

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.19

  • Drain Current-Max (ID)

    14 A

  • 操作温度

    -55°C ~ 125°C

  • 系列

    KPT

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 终端

    焊杯

  • 连接器类型

    Plug, Female Sockets

  • 定位的数量

    23

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 颜色

    橄榄色

  • 紧固类型

    卡口锁

  • 额定电流

    7.5A, 13A

  • 端子位置

    SINGLE

  • 方向

    N (Normal)

  • 终端形式

    鸥翼

  • 屏蔽/屏蔽

    -

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 入口保护

    抗环境干扰

  • Reach合规守则

    unknown

  • 外壳完成

    橄榄色镉

  • 外壳尺寸-插入

    16-23

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 外壳尺寸,MIL

    -

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-252AA

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.15 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    150 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 特征

    Strain Relief

  • 触点表面处理厚度 - 配套

    50.0µin (1.27µm)

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HUF75823D3S拓展信息

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ISO13485
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SMTA
DUNS