ON Semiconductor HUF75945G3

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

CIR06

厂商

ITT Cannon, LLC

Product Status

活跃

RoHS

Non-Compliant

Turn Off Delay Time

65 ns

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

HUF75945G3

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.33

Drain Current-Max (ID)

38 A

系列

*

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

310 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

64 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

38 A

JEDEC-95代码

TO-247

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.071 Ω

漏源击穿电压

200 V

DS 击穿电压-最小值

200 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

71 mΩ