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'huf76013d'

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category.单MOSFET晶体管 (7)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量	晶体管元件材料							厂商																Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id	操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	端子表面处理	电压 - 额定直流	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	额定电流	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	配置	元素配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	极性/通道类型	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	JEDEC-95代码	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	DS 击穿电压-最小值	场效应管技术	场效应管特性	达到SVHC	RoHS状态	无铅
		HUF76013D3S	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	3						20A Tc	5V 10V	50W Tc	37 ns	3V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tube	2002	UltraFET™			Obsolete	1 (Unlimited)			20V					20A					Single		50W		N-Channel		22m Ω @ 20A, 10V	624pF @ 20V	17nC @ 10V	93ns		±20V		29 ns	20A		20V			20V					符合RoHS标准	无铅
		HUF76013D3S	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	YES	4	SILICON			20A Tc	5V 10V	1	50W Tc			3V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tube		UltraFET™	e3	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	2	哑光锡			SINGLE	鸥翼	260		未说明	R-PSSO-G2	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN	N-Channel	SWITCHING	22m Ω @ 20A, 10V	624pF @ 20V	17nC @ 10V		20V	±20V				TO-252AA		20A	0.03Ohm		20V				ROHS3 Compliant
		HUF76013D3S	Fairchild	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252, (D-Pak)	Fairchild Semiconductor	20A (Tc)	5V, 10V	50W (Tc)	Obsolete						Tube	3V @ 250µA	-55°C ~ 150°C (TJ)			UltraFET™								MOSFET (Metal Oxide)													N-Channel		22mOhm @ 20A, 10V	624 pF @ 20 V	17 nC @ 10 V		20 V	±20V											-
		HUF76013D3ST	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252AA						50W Tc	5V 10V	20A Tc		3V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2002	UltraFET™			Obsolete	1 (Unlimited)																	N-Channel		22mOhm @ 20A, 10V	624pF @ 20V	17nC @ 10V		20V	±20V
		HUF76013D3ST	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	YES	4	SILICON			1	50W Tc	5V 10V	20A Tc			3V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)		UltraFET™		yes	Obsolete	1 (Unlimited)	2	未说明			SINGLE	鸥翼	未说明		未说明	R-PSSO-G2	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN	N-Channel	SWITCHING	22m Ω @ 20A, 10V	624pF @ 20V	17nC @ 10V		20V	±20V				TO-252AA		20A	0.03Ohm		20V			unknown	ROHS3 Compliant
		HUF76013D3ST	Intersil	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		YES	4	2	SILICON	小概要	未说明	PLASTIC/EPOXY	未说明		HUF76013D3ST	RECTANGULAR	Rochester Electronics LLC	1	活跃	ROCHESTER ELECTRONICS LLC	5.16	TO-252AA	20 A					有	TO-252AA, 3 PIN							有				未说明			SINGLE	鸥翼	未说明			R-PSSO-G2	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING							N-CHANNEL			TO-252AA			0.03 Ω		20 V	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR		unknown
		HUF76013D3ST	Fairchild Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252, (D-Pak)	Fairchild Semiconductor	20A (Tc)	5V, 10V	50W (Tc)	Obsolete						Bulk	3V @ 250µA	-55°C ~ 150°C (TJ)			UltraFET™								MOSFET (Metal Oxide)													N-Channel		22mOhm @ 20A, 10V	624 pF @ 20 V	17 nC @ 10 V		20 V	±20V											-