HUF76121P3
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ON Semiconductor HUF76121P3

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型号

HUF76121P3

utmel 编号

1807-HUF76121P3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 47a 30V N-Ch MOSFET

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1最小包装量--

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HUF76121P3
HUF76121P3 ON Semiconductor MOSFET 47a 30V N-Ch MOSFET

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HUF76121P3详情

ON Semiconductor HUF76121P3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 表面安装

    NO

  • 房屋材料

    Thermoplastic Resin

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    OQ02

  • 厂商

    Amphenol Anytek

  • Torque-Screw

    -

  • Current-UL

    12 A

  • Product Status

    活跃

  • Contact Materials

    Copper Alloy

  • Voltage-UL

    300 V

  • Current-IEC

    -

  • Package Description

    TO-220AB, 3 PIN

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Part Number

    HUF76121P3

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.14

  • Part Package Code

    TO-220AB

  • Drain Current-Max (ID)

    47 A

  • 操作温度

    -40°C ~ 115°C

  • 系列

    06-508

  • 类型

    Header, Male Pins, Shrouded (2 Side)

  • 定位的数量

    2

  • 端子表面处理

    未说明

  • 颜色

    Green

  • 螺距

    0.200 (5.08mm)

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 入口保护

    -

  • 绝缘高度

    0.472 (12.00mm)

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • 终端样式

    Solder

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 触点尾部长度

    0.157 (4.00mm)

  • 层数

    1

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 触点配接表面处理

    Tin

  • 线规或量程 - AWG

    -

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 每级位置

    2

  • 插头导线入口

    -

  • 标题方向

    Vertical

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 线规或量程 - mm2

    -

  • 剥线长度

    -

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 螺丝尺寸

    -

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.028 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 特征

    -

  • 材料可燃性等级

    UL94 V-0

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技术文档: ON Semiconductor HUF76121P3.

HUF76121P3拓展信息

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