HUF76137P3
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ON Semiconductor HUF76137P3

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型号

HUF76137P3

utmel 编号

1807-HUF76137P3

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

MOSFET 75a 30V 0.009 Ohm Logic Level N-Ch

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HUF76137P3
HUF76137P3 ON Semiconductor MOSFET 75a 30V 0.009 Ohm Logic Level N-Ch

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HUF76137P3详情

ON Semiconductor HUF76137P3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Turn Off Delay Time

    45 ns

  • Package Description

    TO-220AB, 3 PIN

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Part Number

    HUF76137P3

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.33

  • Part Package Code

    TO-220AB

  • Drain Current-Max (ID)

    75 A

  • 端子表面处理

    未说明

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • 附加功能

    ULTRA-LOW RESISTANCE

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    145 W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 上升时间

    140 ns

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    75 A

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0125 Ω

  • 漏源击穿电压

    30 V

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 漏源电阻

    9 mΩ

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HUF76137P3拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS