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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.140627
10
¥7.679835
100
¥7.245127
500
¥6.835027
1000
¥6.448138
ON Semiconductor HUF76143P3
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- 对比
HUF76143P3
1807-HUF76143P3
无类别的
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MOSFET 75a 30V 0.0055 Ohm Logic Level N-Ch
--最小包装量--
¥
总价: ¥
HUF76143P3详情
ON Semiconductor HUF76143P3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
PEI-Genesis
Product Status
活跃
RoHS
Non-Compliant
Turn Off Delay Time
40 ns
Package Description
TO-220AB, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
HUF76143P3
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.32
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
75 A
系列
*
电阻
5.5 mΩ
端子表面处理
未说明
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-40 °C
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
225 W
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
55 ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
75 A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏极-源极导通最大电阻
0.0085 Ω
漏源击穿电压
30 V
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
5.5 mΩ
HUF76143P3拓展信息






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