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'huf76443p3'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

表面安装

供应商器件包装

晶体管元件材料

厂商

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

端子表面处理

技术

端子位置

峰值回流焊温度(摄氏度)

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

配置

操作模式

箱体转运

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

漏源电压 (Vdss)

Vgs(最大值)

JEDEC-95代码

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

DS 击穿电压-最小值

场效应管特性

达到SVHC

RoHS状态

HUF76443P3
HUF76443P3
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-220-3

TO-220-3

4.5V 10V

260W Tc

75A Tc

3V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tube

2002

UltraFET™

Obsolete

1 (Unlimited)

N-Channel

8mOhm @ 75A, 10V

4115pF @ 25V

129nC @ 10V

60V

±16V

HUF76443P3
HUF76443P3
Rochester Electronics, LLC 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-220-3

NO

SILICON

260W Tc

4.5V 10V

75A Tc

1

3V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tube

UltraFET™

e3

yes

Obsolete

1 (Unlimited)

3

TIN

SINGLE

未说明

未说明

R-PSFM-T3

COMMERCIAL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

8m Ω @ 75A, 10V

4.115pF @ 25V

129nC @ 10V

60V

±16V

TO-220AB

75A

0.01Ohm

60V

unknown

ROHS3 Compliant

HUF76443P3
HUF76443P3
Fairchild Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-220-3

TO-220-3

Tube

75A (Tc)

Fairchild Semiconductor

4.5V, 10V

260W (Tc)

Obsolete

3V @ 250µA

-55°C ~ 175°C (TJ)

UltraFET™

MOSFET (Metal Oxide)

N-Channel

8mOhm @ 75A, 10V

4115 pF @ 25 V

129 nC @ 10 V

60 V

±16V

-