ON Semiconductor HUFA75337G3

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

Power Dissipation (Max)

175W Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

已出版

2002

系列

UltraFET™

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

14m Ω @ 75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1775pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

109nC @ 20V

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±20V