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'hufa76413dk'

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category.MOSFETs 晶体管阵列 (6)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	质量	晶体管元件材料		厂商					操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	附加功能	电压 - 额定直流	最大功率耗散	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	额定电流	时间@峰值回流温度-最大值(s)	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	配置	操作模式	功率耗散	功率 - 最大	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	DS 击穿电压-最小值	雪崩能量等级（Eas）	场效应管技术	场效应管特性	RoHS状态	无铅
		HUFA76413DK8	Fairchild	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)		8-SOIC			Bulk	Fairchild Semiconductor	5.1A (Tc)	活跃			-55°C ~ 150°C (TJ)		UltraFET®																					2.5W (Ta)	2 N-Channel (Dual)		49mOhm @ 5.1A, 10V	3V @ 250µA	620pF @ 25V	23nC @ 10V		60V										逻辑电平门
		HUFA76413DK8T	Fairchild	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)		8-SOIC			Bulk	Fairchild Semiconductor	5.1A	Obsolete			-55°C ~ 150°C (TJ)		UltraFET™																					2.5W	2 N-Channel (Dual)		49mOhm @ 5.1A, 10V	3V @ 250µA	620pF @ 25V	23nC @ 10V		60V										逻辑电平门
		HUFA76413DK8T	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8	230.4mg	SILICON		45 ns			2	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	UltraFET™	e4		Obsolete	1 (Unlimited)	8	EAR99	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	ULTRA-LOW RESISTANCE	60V	2.5W	鸥翼	260	4.8A	30			不合格		增强型MOSFET	2.5W		2 N-Channel (Dual)	SWITCHING	49m Ω @ 5.1A, 10V	3V @ 250μA	620pF @ 25V	23nC @ 10V	19ns		27 ns	5.1A	16V			60V			METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	逻辑电平门	符合RoHS标准	无铅
		HUFA76413DK8T	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	YES		SILICON	5.1A		2				-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	UltraFET™	e3	yes	Obsolete	3 (168 Hours)	8		哑光锡				鸥翼	260		未说明	8	R-PDSO-G8	COMMERCIAL	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET		2.5W	2 N-Channel (Dual)	SWITCHING	49m Ω @ 5.1A, 10V	3V @ 250μA	620pF @ 25V	23nC @ 10V		60V				5.1A	0.049Ohm		60V	260 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	逻辑电平门	ROHS3 Compliant
		HUFA76413DK8T-F085	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	YES		SILICON	5.1A		2				-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	Automotive, AEC-Q101, UltraFET™	e4	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	8		Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	ULTRA-LOW RESISTANCE			鸥翼	260		30		R-PDSO-G8	不合格	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET		2.5W	2 N-Channel (Dual)	SWITCHING	49m Ω @ 5.1A, 10V	3V @ 250μA	620pF @ 25V	23nC @ 10V		60V							60V	260 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	逻辑电平门	ROHS3 Compliant
		HUFA76413DK8T-F085P	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)		8-SOIC			Tape & Reel (TR)	onsemi	5.1A (Tc)	Obsolete			-55°C ~ 150°C (TJ)		Automotive, AEC-Q101																					2.5W (Ta)	2 N-Channel (Dual)		49mOhm @ 5.1A, 10V	3V @ 250µA	620pF @ 25V	23nC @ 10V		60V										逻辑电平门