ON Semiconductor IMH20TR1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

Number of Elements

2

Operating Temperature (Max.)

150°C

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

15V

最大功率耗散

300mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

600mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

80mV

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 50mA 5V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

80mV @ 2.5mA, 50mA

电阻基(R1)

2.2k Ω

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅