ON Semiconductor IRF540

底架

通孔

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

22

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Product Status

Obsolete

Power Dissipation (Max)

150W (Tc)

厂商

onsemi

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

28A (Tc)

Package

Tube

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRF540

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.02

Drain Current-Max (ID)

28 A

系列

-

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

120 W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

77mOhm @ 17A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1700 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

72 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

28 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.077 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

110 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

230 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

达到SVHC

unknown