ON Semiconductor IRF614B
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IRF614B
1807-IRF614B
无类别的
4-SMD, No Lead
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2.8A I(D), 250V, 2OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEM
1最小包装量--
IRF614B详情
ON Semiconductor IRF614B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
4-SMD, No Lead
安装类型
表面贴装
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Product Status
活跃
厂商
Suntsu Electronics, Inc.
Package
Bulk
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
IRF614B
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.59
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
2.8 A
系列
SXT214
操作温度
0°C ~ 70°C
尺寸/尺寸
0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
ECCN 代码
EAR99
类型
兆赫晶体
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
频率
27 MHz
频率稳定性
±25ppm
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
ESR(等效串联电阻)
100 Ohms
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
负载电容
18pF
操作模式
Fundamental
频率容差
±20ppm
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
2 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
8.5 A
DS 击穿电压-最小值
250 V
雪崩能量等级(Eas)
45 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
座位高度(最大)
0.020 (0.50mm)
IRF614B拓展信息







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