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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥11.121143
10
¥10.491641
100
¥9.897779
500
¥9.337528
1000
¥8.808987
ON Semiconductor IRF654B
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- 对比
IRF654B
1807-IRF654B
集成电路(IC)
--
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRF654B详情
ON Semiconductor IRF654B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Number of Elements
1
Drain Current-Max (ID)
21 A
Risk Rank
5.7
Package Description
TO-220, 3 PIN
Part Package Code
TO-220AB
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Part Life Cycle Code
Obsolete
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IRF654B
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
21 A
漏极-源极导通最大电阻
0.14 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
84 A
DS 击穿电压-最小值
250 V
雪崩能量等级(Eas)
700 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
156 W
IRF654B拓展信息
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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