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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.630078
10
¥2.481205
100
¥2.340763
500
¥2.208265
1000
¥2.083269
ON Semiconductor IRF710B
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- 对比
IRF710B
1807-IRF710B
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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IRF710B datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at utmel
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IRF710B详情
ON Semiconductor IRF710B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Continuous Drain Current Id
2
Package Description
TO-220, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
NOT APPLICABLE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IRF710B
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.22
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
2 A
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
哑光锡
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
3.4 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
6 A
DS 击穿电压-最小值
400 V
信道型
N
雪崩能量等级(Eas)
100 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRF710B拓展信息
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