ON Semiconductor IRF720B
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IRF720B
1807-IRF720B
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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IRF720B datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
IRF720B详情
ON Semiconductor IRF720B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
35 ns
Package Description
TO-220, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
NOT APPLICABLE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
NOT APPLICABLE
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IRF720B
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.23
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
3.3 A
JESD-609代码
e3
无铅代码
无
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT APPLICABLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
49 W
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
35 ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
3.3 A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
漏极-源极导通最大电阻
1.75 Ω
漏源击穿电压
400 V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
13.2 A
DS 击穿电压-最小值
400 V
雪崩能量等级(Eas)
240 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
1.75 Ω
IRF720B拓展信息
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