ON Semiconductor IRF730

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

74W (Tc)

Product Status

Obsolete

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

15 ns

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

IRF730

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.05

Drain Current-Max (ID)

5.5 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

100 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1Ohm @ 3.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

700 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38 nC @ 10 V

上升时间

11 ns

漏源电压 (Vdss)

400 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

5.5 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

1 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

22 A

输入电容

530 pF

DS 击穿电压-最小值

400 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

漏源电阻

1 Ω

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

长度

10.4 mm