ON Semiconductor IRF730

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

74W (Tc)

Product Status

Obsolete

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Turn Off Delay Time

15 ns

RoHS

Compliant

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

IRF730

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.05

Drain Current-Max (ID)

5.5 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

100 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1Ohm @ 3.3A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

700 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38 nC @ 10 V

上升时间

11 ns

漏源电压 (Vdss)

400 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

5.5 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

1 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

22 A

输入电容

530 pF

DS 击穿电压-最小值

400 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

漏源电阻

1 Ω

宽度

4.6 mm

高度

9.15 mm

长度

10.4 mm

达到SVHC

unknown