ON Semiconductor IRF740
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IRF740
1807-IRF740
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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:550mohm; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:125W; Pulse Current Idm:40A; Transistor Type:; Voltage Vgs th Max:4V
1最小包装量--
IRF740详情
ON Semiconductor IRF740重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
SMD
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
MSL
-
RoHS
有
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
IRF740
Turn-on Time-Max (ton)
62 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Turn-off Time-Max (toff)
111 ns
Risk Rank
5.01
Part Package Code
SFM
Drain Current-Max (ID)
10 A
系列
LTC186
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
注意
-
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
决议案
12bit
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
10 A
漏极-源极导通最大电阻
0.55 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40 A
DS 击穿电压-最小值
400 V
雪崩能量等级(Eas)
520 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
125 W
环境耗散-最大值
125 W
IRF740拓展信息
ON Semiconductor
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