IRFI840BTU
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ON Semiconductor IRFI840BTU

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型号

IRFI840BTU

utmel 编号

1807-IRFI840BTU

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 500V N-Channel B-FET

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IRFI840BTU
IRFI840BTU ON Semiconductor MOSFET 500V N-Channel B-FET

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IRFI840BTU详情

ON Semiconductor IRFI840BTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    I2PAK-3

  • Package Style

    IN-LINE

  • Moisture Sensitivity Levels

    NOT APPLICABLE

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    NOT APPLICABLE

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    IRFI840BTU

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.21

  • Part Package Code

    TO-262AA

  • Drain Current-Max (ID)

    8 A

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT APPLICABLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSIP-T3

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-262AA

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.8 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    32 A

  • DS 击穿电压-最小值

    500 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    320 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: ON Semiconductor IRFI840BTU.

IRFI840BTU拓展信息

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ISO13485
AS
SMTA
DUNS