ON Semiconductor IRFP254B

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

300 ns

Package Description

TO-3P, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRFP254B

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.3

Part Package Code

TO-3P

Drain Current-Max (ID)

25 A

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

221 W

接通延迟时间

35 ns

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

250 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

25 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

0.14 Ω

漏源击穿电压

250 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100 A

DS 击穿电压-最小值

250 V

雪崩能量等级（Eas）

700 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

150 °C

漏源电阻

100 mΩ

高度

23.6 mm