ON Semiconductor IRFR214BTFFP001

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Product Style

BGA Socketing Systems

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

25 ns

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Drain Current-Max (ID)

2.2 A

Risk Rank

5.6

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

Number of Elements

1

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

IRFR214BTF_FP001

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

类型

SMT Adapters

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

螺距

1.00mm Pitch

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

30 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

SMT Adapters

连续放电电流(ID)

2.2 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.2 A

漏极-源极导通最大电阻

2 Ω

漏源击穿电压

250 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8.5 A

DS 击穿电压-最小值

250 V

雪崩能量等级（Eas）

45 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

25 W

漏源电阻

2 Ω