ON Semiconductor IRFS610B

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

MSL

-

Package

塑料外壳

RoHS

有

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRFS610B

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.84

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

3.3 A

操作温度

-40...+75°C

系列

THI

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

输出类型

single

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

注意

-

操作模式

增强型MOSFET

输出电流

0,25 A

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.5 A

漏极-源极导通最大电阻

1.5 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

10 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

40 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

22 W

电源

3 W