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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.43328
10
¥7.012532
100
¥6.615595
500
¥6.241131
1000
¥5.887853
ON Semiconductor IRFS630B
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- 对比
IRFS630B
1807-IRFS630B
无类别的
--
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IRFS630B datasheet pdf and Unclassified product details from ON Semiconductor stock available at utmel
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IRFS630B详情
ON Semiconductor IRFS630B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
TO-220F, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IRFS630B
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
7.97
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
9 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6.5 A
漏极-源极导通最大电阻
0.4 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
36 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
160 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
38 W
IRFS630B拓展信息






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