ON Semiconductor IRFS822
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IRFS822
1807-IRFS822
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IRFS822详情
ON Semiconductor IRFS822重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
IRFS822
Drain Current-Max (ID)
2.2 A
Part Package Code
TO-220F
Risk Rank
5.84
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Number of Elements
1
Manufacturer
三星半导体
Package Shape
RECTANGULAR
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.5 A
漏极-源极导通最大电阻
4 Ω
DS 击穿电压-最小值
500 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
30 W
IRFS822拓展信息







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