ON Semiconductor IRFS830BT
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IRFS830BT
1807-IRFS830BT
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IRFS830BT详情
ON Semiconductor IRFS830BT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
TO-220F, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IRFS830BT
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.71
Part Package Code
TO-220F
Drain Current-Max (ID)
4.5 A
JESD-609代码
e3
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
1.5 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
18 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
雪崩能量等级(Eas)
270 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRFS830BT拓展信息







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