ON SEMICONDUCTOR IRFU220B

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

Operating Temperature (Min.)

-55°C

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.6A

漏极-源极导通最大电阻

0.8Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18A

DS 击穿电压-最小值

200V

雪崩能量等级（Eas）

65 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

40W

反馈上限-最大值 (Crss)

13 pF

关断时间-最大值（toff)

160ns

接通时间-最大值(ton)

124ns