ON Semiconductor IRFU230BTU_FP001
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IRFU230BTU_FP001
1807-IRFU230BTU_FP001
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MOSFET 200V N-Ch B-FET
1最小包装量--
IRFU230BTU_FP001详情
ON Semiconductor IRFU230BTU_FP001重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IRFU230BTU_FP001
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.82
Drain Current-Max (ID)
7.5 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7.5 A
漏极-源极导通最大电阻
0.4 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
160 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
50 W
IRFU230BTU_FP001拓展信息







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