注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.007404
10
¥1.893777
100
¥1.786586
500
¥1.685459
1000
¥1.590054
ON Semiconductor IRFU310BTU
- 收藏
- 对比
¥
总价: ¥
IRFU310BTU详情
ON Semiconductor IRFU310BTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
20 ns
Package Description
IPAK-3
Package Style
IN-LINE
Moisture Sensitivity Levels
NOT APPLICABLE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
NOT APPLICABLE
Manufacturer Part Number
IRFU310BTU
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.18
Part Package Code
TO-251
Drain Current-Max (ID)
1.7 A
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT APPLICABLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.5 W
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
25 ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
1.7 A
JEDEC-95代码
TO-251
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
漏极-源极导通最大电阻
3.4 Ω
漏源击穿电压
400 V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
6 A
DS 击穿电压-最小值
400 V
雪崩能量等级(Eas)
100 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
2.7 Ω
IRFU310BTU拓展信息







哦! 它是空的。