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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.01658
10
¥3.789229
100
¥3.574739
500
¥3.372397
1000
¥3.181507
ON Semiconductor IRFU430BTU
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- 对比
IRFU430BTU
1807-IRFU430BTU
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
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500V N-Channel B-FET
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¥
总价: ¥
IRFU430BTU详情
ON Semiconductor IRFU430BTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tray
厂商
KYOCERA AVX
Product Status
活跃
Package Description
IPAK-3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IRFU430BTU
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.66
Part Package Code
TO-251
Drain Current-Max (ID)
3.5 A
系列
*
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-251
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3.5 A
漏极-源极导通最大电阻
1.5 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
14 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
雪崩能量等级(Eas)
270 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
48 W
IRFU430BTU拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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