ON Semiconductor IRFW550ATM

底架

表面贴装

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

100 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

80 ns

Package Description

D2PAK-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRFW550ATM

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.38

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

40 A

包装

卷带

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

40 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

167 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

20 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

40 A

JEDEC-95代码

TO-263AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

40 A

漏极-源极导通最大电阻

0.04 Ω

漏源击穿电压

100 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

640 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

3.8 W

漏源电阻

40 mΩ