ON Semiconductor IRFW740BTM

触点镀层

Gold Over Nickel

表面安装

YES

房屋材料

Polyetherimide

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Body Orientation

Straight

Product Depth (mm)

27.55(mm)

Operating Temp Range

-65C to 175C

Mounting Styles

Panel

Package Description

D2PAK-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Manufacturer Part Number

IRFW740BTM

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.22

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

10 A

无铅代码

有

类型

Rectangular

端子表面处理

未说明

性别

RCP

触头总数

5(POS)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

终端样式

Crimp

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

漏极-源极导通最大电阻

0.54 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40 A

DS 击穿电压-最小值

400 V

雪崩能量等级（Eas）

450 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大额定电流

7.5/Contact(A)

产品长度(mm)

24.81(mm)

产品高度(mm)

16(mm)