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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.330412
10
¥5.028692
100
¥4.744052
500
¥4.47552
1000
¥4.22219
ON Semiconductor IRL620A
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- 对比
IRL620A
1807-IRL620A
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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IRL620A datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at utmel
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IRL620A详情
ON Semiconductor IRL620A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Continuous Drain Current Id
5
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
24 ns
Package Description
TO-220, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
NOT APPLICABLE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
NOT APPLICABLE
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IRL620A
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.24
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
5 A
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT APPLICABLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
39 W
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
6 ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
5 A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏极-源极导通最大电阻
0.8 Ω
漏源击穿电压
200 V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
18 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
信道型
N
雪崩能量等级(Eas)
33 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
800 mΩ
IRL620A拓展信息
ON Semiconductor
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