ON Semiconductor IRL8113PBF

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-220AB

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

22892314

Approvals

UL

Manufacturer

Semikron

RoHS

无

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

105A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

110W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

LEAD FREE PACKAGE-3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

7.04

Drain Current-Max (ID)

42 A

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

HEXFET®

ECCN 代码

EAR99

类型

Single

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6mOhm @ 21A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.25V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2840 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

105 A

漏极-源极导通最大电阻

0.006 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

420 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

220 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

110 W

场效应管特性

-

高度(毫米)

30.5 mm