ON Semiconductor IRLI620ATU
- 收藏
- 对比
IRLI620ATU
1807-IRLI620ATU
集成电路(IC)
--
大陆
立即发货

MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level
1最小包装量--
IRLI620ATU详情
ON Semiconductor IRLI620ATU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
IRLI620ATU
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Part Package Code
TO-262AA
Package Description
I2PAK-3
Risk Rank
5.61
Drain Current-Max (ID)
3.3 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-262AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5 A
漏极-源极导通最大电阻
0.8 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
12 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
29 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
39 W
IRLI620ATU拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







哦! 它是空的。