注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

价格梯度

内地含税价

1

￥8.810923
10

￥8.312192
100

￥7.841691
500

￥7.397821
1000

￥6.979079

ON Semiconductor ISL9N306AP3

Name: ISL9N306AP3
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-ISL9N306AP3
Price: 8.81 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

ISL9N306AP3

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-ISL9N306AP3

商品类别

无类别的

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized

起订量

--最小包装量--

单价:

￥

总价: ￥

添加到询价列表

ISL9N306AP3 ON Semiconductor MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized

单价: $

合计: ￥

库存:44525

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

ISL9N306AP3详情

技术参数

PDF文档

ON Semiconductor ISL9N306AP3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
引脚数

3
Package

Bulk
厂商

PEI-Genesis
Product Status

活跃
RoHS

Compliant
Turn Off Delay Time

62 ns
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Rohs Code

有
Manufacturer Part Number

ISL9N306AP3
Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank

5.13
系列

*
ECCN 代码

EAR99
最高工作温度

175 °C
最小工作温度

-55 °C
Reach合规守则

unknown
元素配置

Single
功率耗散

125 W
上升时间

43 ns
连续放电电流(ID)

75 A
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
漏源击穿电压

30 V
漏源电阻

9.5 mΩ

0个相似型号

ISL9N306AP3拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z