ON Semiconductor ISL9N306AS3ST

安装类型

Free Hanging (In-Line)

表面安装

YES

越来越多的功能

-

引脚数

3

触点形状

Circular

外壳材料

铝合金

插入材料

Plastic

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

KJB6T

Contact Sizes

20

厂商

ITT Cannon, LLC

Product Status

活跃

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

62 ns

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

ISL9N306AS3ST

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.13

Drain Current-Max (ID)

75 A

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

KJB

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

连接器类型

Plug Housing

类型

用于公引脚

定位的数量

18

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

紧固类型

Threaded

子类别

FET 通用电源

触点类型

Crimp

端子位置

SINGLE

方向

N (Normal)

终端形式

鸥翼

屏蔽/屏蔽

Shielded

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

入口保护

抗环境干扰

Reach合规守则

not_compliant

外壳完成

Cadmium over Electroless Nickel

外壳尺寸-插入

15-18

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

房屋颜色

橄榄色

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

注意

不包括触点

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125 W

外壳尺寸，MIL

-

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

43 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

75 A

包括

-

JEDEC-95代码

TO-263AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75 A

漏极-源极导通最大电阻

0.006 Ω

漏源击穿电压

30 V

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

125 W

漏源电阻

9.5 mΩ

特征

联接螺母

材料可燃性等级

-