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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.298441
10
¥4.055137
100
¥3.825598
500
¥3.609054
1000
¥3.404767
ON Semiconductor ISL9N308AD3
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- 对比
ISL9N308AD3
1807-ISL9N308AD3
无类别的
--
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MOSFET N-Ch UltraFET Trench Logic Level
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¥
总价: ¥
ISL9N308AD3详情
ON Semiconductor ISL9N308AD3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
IPAK-3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
ISL9N308AD3
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.16
Part Package Code
TO-251AA
Drain Current-Max (ID)
50 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-251AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
50 A
漏极-源极导通最大电阻
0.008 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
100 W
ISL9N308AD3拓展信息






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