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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.866862
10
¥3.647985
100
¥3.441498
500
¥3.246694
1000
¥3.062922
ON Semiconductor ISL9N312AD3ST
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ISL9N312AD3ST
1807-ISL9N312AD3ST
无类别的
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MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
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ISL9N312AD3ST详情
ON Semiconductor ISL9N312AD3ST重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
PEI-Genesis
Product Status
活跃
Package Description
DPAK-3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Manufacturer Part Number
ISL9N312AD3ST
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.12
Part Package Code
TO-252AA
Drain Current-Max (ID)
50 A
系列
*
无铅代码
有
端子表面处理
未说明
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
漏极-源极导通最大电阻
0.012 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ISL9N312AD3ST拓展信息






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